رغم الحظر الأمريكي: وثيقة مسربة لهواوي تكشف تقنية تصنيع معالجات بدقة 2 نانوميتر
في الوقت الذي تستمر فيه العملاقة الصينية هواوي في مواجهة قيود الحظر الأمريكي الكامل للمعالجات والتقنيات وحتي خدمات Google، تفاجئ هواوي العالم مرة أخرى بظهور براءة اختراع جديدة توحي بأنها تعمل على تقنيات تصنيع شرائح بدقة 2 نانومتر — وهي قفزة قد تعيد تشكيل خريطة صناعة المعالجات عالميًا.
عودة HiSilicon إلى الواجهة بعد سنوات من الغياب
الجميع يعرف أن قسم HiSilicon — العقل المسؤول عن تطوير شرائح Kirin — تلقى ضربة قوية في عام 2019 بعد فقدان قدرته على تصنيع معالجه لدى TSMC. هذا الحدث أدى إلى شبه اختفاء خطوط Kirin من السوق. لكن مع إعادة إحياء صناعة الشرائح محليًا داخل الصين، ظهرت هواوي مؤخرًا بعودة هادئة لكن مؤثرة: حيث هواتف مزودة بـ 5G ومعالجات Kirin مطوّرة داخليًا، رغم الشكوك حول اعتماد الشركة على تصنيع بدقة 7 نانومتر فقط، وهي دقة بعيدة عن تقنيات 2 نانومتر و3 نانومتر التي تقدمها TSMC وسامسونج.
ومع ذلك، ورغم القيود، استطاعت هواوي تحسين الأداء والكفاءة عبر مزيج قوي بين المعالج ونظام HarmonyOS مما أثبت أن التكامل بين العتاد والبرمجيات يمكنه تعويض الفجوات التقنية.
براءة الاختراع التي بدأت كل شيء
الوثيقة التي ظهرت مؤخرًا — برقم CN119301758A — تحمل عنوان "طريقة دمج معدني لصناعة الأجهزة المتكاملة" وهي براءة تم تسجيلها في 8 يونيو 2022 ونُشرت رسميًا في 10 يناير 2025. وتتضمن تفاصيل مرتبطة مباشرة بتقنيات تصنيع أشباه الموصلات، خاصة في مجالات التوصيلات المعدنية الدقيقة والعوازل و عمليات BEOL و MOL ما يجعلها أقرب ما يكون إلى تصميمات الجيل القادم من المعالجات.
لماذا تعد البراءة مهمة؟
البراءة تستهدف تصميم مسارات معدنية بأبعاد أقل من 21 نانومتر — وهي المسافات المعتمدة في شرائح 3 نانومتر و2 نانومتر المتقدمة. ورغم أنها لا تحدد مباشرة تقنية 2 نانومتر، فإن تفاصيلها التقنية تتوافق تمامًا مع متطلبات هذا الجيل.
أين يمكن استخدام هذه التقنية؟
تُشير الوثيقة إلى إمكانية تطبيق هذه العملية في:
![]()
هل سنرى شريحة بدقة تصنيع 2 نانومتر من هواوي قريبًا؟
رغم أن هذه البراءة تحمل الكثير من الإمكانيات وتكشف عن حلول مبتكرة يمكنها منافسة مصانع الشرائح الكبرى، تبقى الإجابة معلّقة هل ستستخدم HiSilicon هذه التقنيات لإنتاج أول شريحة 2nm من هواوي؟
تقدم البراءة طريقة بناء تعتمد على خمسة فواصل مختلفة لتحديد خطوط معدنية دقيقة جدًا دون الحاجة لاستخدام تقنيات EUV المكلفة وهذه الطريقة تُمكّن من تشكيل فجوات مثالية ترسيب المعادن في خطوط تصنيع BEOL ذات الكثافة العالية.
2. دمج معدني مزدوج المواد
تصف البراءة عملية فصل ترسيب المعدنين الأساسيين — مثل النحاس أو الروثينيوم — عن معدن الكوبالت في مراحل متتابعة ويمنح هذا الإجراء دقة أعلى، خصوصًا فيما يتعلق بتقليل أخطاء مواضع الحواف (EPE) إلى أقل من 5 نانومتر.
3. تصنيع FSAV للاصطفاف الذاتي
وهو أسلوب يعتمد على الحفر الانتقائي لتشكيل فتحات دقيقة ذات محاذاة مثالية دون انحرافات بسبب الأقنعة الصلبة عالية الانتقائية.
4. ترسيب ASD لأقنعة الحماية
طريقة تعتمد على ترسيب أقنعة حماية متعددة المواد فوق المعادن لمنع أي حفر زائد أثناء تكوين التوصيلات العمودية — أمر حتمي في خطوط الإنتاج مرتفعة الكثافة.
5. الاعتماد على DUV بدلًا من EUV
أحد أبرز ما جاء في البراءة هو إمكانية الوصول لمسافات معدنية تقل عن 21 نانومتر باستخدام تقنية DUV فقط، وهي خطوة قد تقلل التكاليف بشكل كبير وتمنح هواوي قدرة على تصنيع شرائح متقدمة بدون الاعتماد على أدوات EUV المحظورة عليها.
المصدر
عودة HiSilicon إلى الواجهة بعد سنوات من الغياب
الجميع يعرف أن قسم HiSilicon — العقل المسؤول عن تطوير شرائح Kirin — تلقى ضربة قوية في عام 2019 بعد فقدان قدرته على تصنيع معالجه لدى TSMC. هذا الحدث أدى إلى شبه اختفاء خطوط Kirin من السوق. لكن مع إعادة إحياء صناعة الشرائح محليًا داخل الصين، ظهرت هواوي مؤخرًا بعودة هادئة لكن مؤثرة: حيث هواتف مزودة بـ 5G ومعالجات Kirin مطوّرة داخليًا، رغم الشكوك حول اعتماد الشركة على تصنيع بدقة 7 نانومتر فقط، وهي دقة بعيدة عن تقنيات 2 نانومتر و3 نانومتر التي تقدمها TSMC وسامسونج.
ومع ذلك، ورغم القيود، استطاعت هواوي تحسين الأداء والكفاءة عبر مزيج قوي بين المعالج ونظام HarmonyOS مما أثبت أن التكامل بين العتاد والبرمجيات يمكنه تعويض الفجوات التقنية.
براءة الاختراع التي بدأت كل شيء
الوثيقة التي ظهرت مؤخرًا — برقم CN119301758A — تحمل عنوان "طريقة دمج معدني لصناعة الأجهزة المتكاملة" وهي براءة تم تسجيلها في 8 يونيو 2022 ونُشرت رسميًا في 10 يناير 2025. وتتضمن تفاصيل مرتبطة مباشرة بتقنيات تصنيع أشباه الموصلات، خاصة في مجالات التوصيلات المعدنية الدقيقة والعوازل و عمليات BEOL و MOL ما يجعلها أقرب ما يكون إلى تصميمات الجيل القادم من المعالجات.
لماذا تعد البراءة مهمة؟
البراءة تستهدف تصميم مسارات معدنية بأبعاد أقل من 21 نانومتر — وهي المسافات المعتمدة في شرائح 3 نانومتر و2 نانومتر المتقدمة. ورغم أنها لا تحدد مباشرة تقنية 2 نانومتر، فإن تفاصيلها التقنية تتوافق تمامًا مع متطلبات هذا الجيل.
أين يمكن استخدام هذه التقنية؟
تُشير الوثيقة إلى إمكانية تطبيق هذه العملية في:
- طبقات MOL
- طبقات BEOL
- خطوط الطاقة في الدوائر المتكاملة
- أنظمة عزل متقدمة لتقليل السعة وتحسين الأداء
هل سنرى شريحة بدقة تصنيع 2 نانومتر من هواوي قريبًا؟
رغم أن هذه البراءة تحمل الكثير من الإمكانيات وتكشف عن حلول مبتكرة يمكنها منافسة مصانع الشرائح الكبرى، تبقى الإجابة معلّقة هل ستستخدم HiSilicon هذه التقنيات لإنتاج أول شريحة 2nm من هواوي؟
تقنيات جديدة تكشف نوايا هواوي
1. تقنية Spacer متعددة الطبقاتتقدم البراءة طريقة بناء تعتمد على خمسة فواصل مختلفة لتحديد خطوط معدنية دقيقة جدًا دون الحاجة لاستخدام تقنيات EUV المكلفة وهذه الطريقة تُمكّن من تشكيل فجوات مثالية ترسيب المعادن في خطوط تصنيع BEOL ذات الكثافة العالية.
2. دمج معدني مزدوج المواد
تصف البراءة عملية فصل ترسيب المعدنين الأساسيين — مثل النحاس أو الروثينيوم — عن معدن الكوبالت في مراحل متتابعة ويمنح هذا الإجراء دقة أعلى، خصوصًا فيما يتعلق بتقليل أخطاء مواضع الحواف (EPE) إلى أقل من 5 نانومتر.
3. تصنيع FSAV للاصطفاف الذاتي
وهو أسلوب يعتمد على الحفر الانتقائي لتشكيل فتحات دقيقة ذات محاذاة مثالية دون انحرافات بسبب الأقنعة الصلبة عالية الانتقائية.
4. ترسيب ASD لأقنعة الحماية
طريقة تعتمد على ترسيب أقنعة حماية متعددة المواد فوق المعادن لمنع أي حفر زائد أثناء تكوين التوصيلات العمودية — أمر حتمي في خطوط الإنتاج مرتفعة الكثافة.
5. الاعتماد على DUV بدلًا من EUV
أحد أبرز ما جاء في البراءة هو إمكانية الوصول لمسافات معدنية تقل عن 21 نانومتر باستخدام تقنية DUV فقط، وهي خطوة قد تقلل التكاليف بشكل كبير وتمنح هواوي قدرة على تصنيع شرائح متقدمة بدون الاعتماد على أدوات EUV المحظورة عليها.
المصدر
شاهد المزيد من أخبار التكنولوجيا اشترك فى قناتنا علي التليجرام
أشترك لتحصل علي أهم أخبار التقنية
