مع اقتراب الإعلان عن سلسلة Galaxy S26 المتوقع وصولها في يناير المقبل، بدأت المعلومات تتدفق من مصادر موثوقة حول مواصفات الجيل الجديد. ورغم انتظار الكثيرين لترقيات كبيرة، يبدو أن سامسونج تتجه نحو تحسينات طفيفة هذا العام، خصوصًا فيما يتعلق بسعات الذاكرة وتكوينات التخزين.
ورغم عدم زيادة سعة RAM هذا العام، تشير المعلومات إلى أن سامسونج تعمل على رفع سرعات ذاكرة LPDDR5X إلى 10.7 جيجابت/ثانية بدلًا من 8.5 جيجابت/ثانية في الجيل الحالي. هذه السرعة الأعلى ستنعكس على أداء أفضل في معالجة الصور الليلية، وتقليل التشويش في الإضاءة المنخفضة، وتحسين النطاق الديناميكي في الفيديو الاحترافي، إلى جانب مزايا أخرى تعتمد على معالجة البيانات بسرعة أعلى.
وبحسب التسريبات، فإن الحديث المؤكد حتى الآن يشير إلى عدم وجود طرازات بسعات RAM أكبر، رغم تكهنات سابقة أشارت إلى احتمال تقديم نسخ بسعات أعلى. ويبدو أن قرار سامسونج نابع من تحليل سلوك المستخدمين في الأسواق المختلفة، حيث قالت المصادر إن معظم الأسواق العالمية لا تبدي اهتمامًا كبيرًا بسعات RAM الضخمة، على عكس السوق الصينية التي تطالب بمواصفات أعلى دائمًا.
وفي النهاية، تذكّر المصادر أن أداء الهاتف لا يرتبط فقط بسعة الذاكرة العشوائية، بل يتأثر أيضًا بعوامل مثل إدارة الذاكرة، وجودة البرمجيات، وسرعات التخزين، والتحسينات العامة في النظام—وهي عناصر تلعب دورًا كبيرًا في التجربة اليومية للمستخدم.
المصدر
